N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMN4800LSS-13 is a MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 30A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 4.8mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min), 2V (max)  
- **Package**: PowerDI® 5 (5-pin)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part **DMN4800LSS-13** is a **Dual N-Channel MOSFET** manufactured by **Diodes Incorporated**. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6.5A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 25A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.1W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 30mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 800pF (typical)  
- **Package**: **PowerDI® 5060-8** (Dual MOSFET in a single package)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for **high-efficiency power management** in applications such as **DC-DC converters, load switches, and motor control**.  

Let me know if you need further details.