40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part DMN4027SSD-13 is manufactured by Diodes Incorporated (formerly Zetex). It is an N-channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6.3A  
- **R_DS(on) (Max)**: 13mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Package**: PowerDI® 123  

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and high efficiency, such as power management and load switching.

40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The part DMN4027SSD-13 is manufactured by DIODES. It is a dual N-channel enhancement mode MOSFET with a maximum drain-source voltage (VDS) of 30V and a continuous drain current (ID) of 5.7A. The device features a low on-resistance (RDS(on)) of 28mΩ at VGS = 10V and 35mΩ at VGS = 4.5V. It operates within a junction temperature range of -55°C to +150°C and is available in a PowerDI 3333-8 package. The gate threshold voltage (VGS(th)) ranges from 1V to 2.5V. It is designed for applications requiring high efficiency and power density, such as DC-DC converters and power management systems.

40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The **DMN4027SSD-13** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. Known for its low on-resistance and efficient switching capabilities, this component is widely used in DC-DC converters, load switches, and battery management systems.  

With a compact **PowerDI 123** package, the DMN4027SSD-13 offers excellent thermal performance and space-saving advantages, making it suitable for modern, high-density circuit designs. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, including high current and voltage fluctuations.  

Key specifications include a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **6.5A**, making it ideal for low-voltage, high-efficiency applications. The MOSFET also features a low **gate charge (Qg)** and **threshold voltage (VGS(th))**, contributing to reduced power losses and improved energy efficiency.  

Engineers favor the DMN4027SSD-13 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in consumer electronics, industrial automation, or automotive systems, this MOSFET provides a dependable solution for power switching needs. Its compatibility with surface-mount technology (SMT) further simplifies assembly and integration into modern PCB designs.  

For applications requiring fast switching and minimal power dissipation, the DMN4027SSD-13 stands out as a reliable and efficient choice.