30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMN3730UFB4-7 is a PowerTrench MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS)**: 30V  
- **Current (ID)**: 60A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 3.7mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Package**: PowerDI® 5 (5-pin)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The **DMN3730UFB4-7** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it well-suited for power conversion, load switching, and motor control circuits.  

With a compact **PowerDI 123** package, the DMN3730UFB4-7 offers excellent thermal performance and space-saving advantages, ideal for modern, high-density PCB designs. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, including high-temperature environments.  

Key specifications include a **30V drain-source voltage (VDS)** rating and a **continuous drain current (ID)** of up to **30A**, depending on thermal conditions. The MOSFET also incorporates advanced gate drive characteristics, minimizing switching losses and improving overall system efficiency.  

Engineers often select the DMN3730UFB4-7 for applications such as DC-DC converters, battery management systems, and automotive electronics, where low power dissipation and high reliability are critical. Its combination of performance, durability, and compact form factor makes it a versatile choice for both industrial and consumer electronics.  

For optimal performance, proper PCB layout and thermal management practices should be followed to maximize efficiency and longevity in real-world applications.