N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input Capacitance The DMN3112S-7 is a P-Channel MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -16.8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max)**: 90mΩ at V_GS = -10V, I_D = -4.2A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.