SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMN3052LSS is a MOSFET transistor manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- **Voltage Ratings**:
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V
  - **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Current Ratings**:
  - **Continuous Drain Current (I_D)**: 6.8A (at T_C = 25°C)
  - **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 27A
- **On-Resistance (R_DS(on))**:
  - 25mΩ (max) at V_GS = 10V, I_D = 5.5A
  - 30mΩ (max) at V_GS = 4.5V, I_D = 4.5A
- **Power Dissipation (P_D)**:
  - 2.5W (at T_A = 25°C)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**:
  - 1.0V (min), 2.0V (typ), 3.0V (max) at I_D = 250µA
- **Package**: PowerDI® 123 (SOT-23-3L variant)
- **Applications**: Power management, load switching, DC-DC conversion.

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and reliability data, refer to the official DIODES documentation.