N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The DMN3052L-7 is a N-channel MOSFET manufactured by Diodes Incorporated. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.5A  
- **R_DS(on) (Max)**: 30mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Operating Junction Temperature**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to Diodes Incorporated's official documentation.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR The DMN3052L-7 is a MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.8A  
- **R_DS(ON) (Max)**: 30mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Operating Junction Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.