SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMN3030LSS is a MOSFET transistor manufactured by Diodes Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- **Voltage Ratings**:
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V
  - **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±12V
- **Current Ratings**:
  - **Continuous Drain Current (I_D)**: 5.8A (at T_C = 25°C)
  - **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 23A
- **On-Resistance (R_DS(on))**:
  - 30mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 5.8A)
  - 35mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 4.5A)
- **Power Dissipation (P_D)**:
  - 2W (at T_A = 25°C)
  - 40W (at T_C = 25°C)
- **Gate Charge (Q_g)**: 9.5nC (typical at V_GS = 4.5V)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V to 2.5V (at I_D = 250µA)
- **Package**: SOP-8 (Small Outline Package)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves or application-specific data, refer to the official documentation.

SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The DMN3030LSS is a MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 6.5A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 25A
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Power Dissipation (PD)**: 1.4W (at 25°C)
- **On-Resistance (RDS(on))**: 30mΩ (max) at VGS = 10V, ID = 5.5A
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min), 2.5V (max)
- **Package**: SOT-23 (3-pin)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on standard conditions unless otherwise noted. For detailed performance curves or application-specific data, refer to the official datasheet from DIODES Incorporated.