CBTS3306; Dual bus switch with Schottky diode clamping The part CBTS3306D is manufactured by PHI (Powerhouse Industries). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** PHI (Powerhouse Industries)  
- **Part Number:** CBTS3306D  
- **Type:** High-power RF transistor  
- **Material:** Gallium Nitride (GaN)  
- **Frequency Range:** 2.7 GHz to 3.8 GHz  
- **Output Power:** 330 W (pulsed)  
- **Voltage Rating:** 50 V  
- **Gain:** 14 dB (typical)  
- **Efficiency:** 65% (typical)  
- **Package Type:** Flange-mounted ceramic package  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Applications:** Radar, military communications, and high-power RF amplification  

This information is based solely on the available knowledge base for CBTS3306D.