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CY7C4265-15AC from CY,Cypress

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CY7C4265-15AC

Manufacturer: CY

8K/16K x 18 Deep Sync FIFOs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C4265-15AC,CY7C426515AC CY 30 In Stock

Description and Introduction

8K/16K x 18 Deep Sync FIFOs The CY7C4265-15AC is a 3.3V, 256K x 16 (4-Mbit) synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Density:** 4 Mbit (256K x 16)  
- **Organization:** 262,144 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.3V ±10%  
- **Access Time:** 15 ns  
- **Cycle Time:** 15 ns  
- **Operating Current:** 120 mA (typical)  
- **Standby Current:** 15 mA (typical)  
- **I/O Type:** LVTTL-compatible  
- **Package:** 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Burst Modes:** Linear and Interleaved  
- **Features:**  
  - Synchronous operation with clock speeds up to 66 MHz  
  - Pipelined and flow-through output options  
  - Byte write control (UB#, LB#)  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.

Application Scenarios & Design Considerations

8K/16K x 18 Deep Sync FIFOs# CY7C426515AC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C426515AC is a high-performance 512K × 36 asynchronous SRAM primarily employed in applications requiring fast data access with minimal latency. Key use cases include:

-  High-Speed Data Buffering : Functions as temporary storage in networking equipment, digital signal processors, and communication systems where rapid data transfer is critical
-  Cache Memory Expansion : Serves as secondary cache in embedded systems and industrial controllers
-  Real-Time Data Processing : Supports medical imaging systems, radar processing, and video processing applications requiring immediate data access
-  Temporary Storage in Test Equipment : Used in oscilloscopes, spectrum analyzers, and automated test equipment for temporary waveform storage

### Industry Applications
-  Telecommunications : Network switches, routers, and base stations requiring high-speed packet buffering
-  Industrial Automation : PLCs, motor controllers, and robotics systems needing fast access to control parameters
-  Medical Equipment : Ultrasound machines, CT scanners, and patient monitoring systems
-  Military/Aerospace : Radar systems, avionics, and secure communications equipment
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS) and infotainment systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Access Time : 10ns maximum access time enables rapid data retrieval
-  High Density : 18Mb capacity provides substantial storage for cache applications
-  Asynchronous Operation : No clock synchronization required, simplifying system design
-  Wide Temperature Range : Commercial (0°C to +70°C) and industrial (-40°C to +85°C) options available
-  Low Power Consumption : Active current typically 450mA, standby current 150mA

 Limitations: 
-  Voltage Sensitivity : Requires precise 3.3V supply (±5% tolerance)
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh needed, but higher cost per bit
-  Package Size : 100-pin TQFP package may require significant board space
-  Speed Limitations : While fast, may not match latest synchronous SRAM speeds for clock-synchronized systems

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement multiple 0.1μF ceramic capacitors near power pins, plus bulk capacitance (10-47μF) for the entire power plane

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing signal reflection and timing violations
-  Solution : Maintain controlled impedance traces (typically 50Ω) and equal length for address/data buses

 Unused Input Handling 
-  Pitfall : Floating unused control inputs causing unpredictable behavior
-  Solution : Tie unused Chip Enable (CE) high, Output Enable (OE) high, and Write Enable (WE) high via pull-up resistors

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Compatibility 
- The 3.3V LVTTL interfaces may require level shifting when connecting to:
  - 5V TTL components (use level shifters or resistor dividers)
  - 1.8V/2.5V devices (require bidirectional voltage translators)

 Timing Constraints 
-  Microcontroller Interfaces : Ensure processor wait states accommodate SRAM access time
-  FPGA/CPLD Integration : Verify timing closure in synthesis tools
-  Bus Controllers : Match bus timing to SRAM specifications

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Place decoupling capacitors within 0.5cm of each power pin pair
- Implement star-point grounding for analog and digital sections

 Signal Routing 

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C4265-15AC,CY7C426515AC CYPRESS 91 In Stock

Description and Introduction

8K/16K x 18 Deep Sync FIFOs The CY7C4265-15AC is a high-speed CMOS FIFO (First-In, First-Out) memory device manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 262,144 words × 9 bits (256K × 9).
2. **Speed**: 15 ns access time.
3. **Operating Voltage**: 5V ±10%.
4. **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C).
5. **Package**: 32-lead PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier).
6. **I/O Interface**: Asynchronous FIFO with independent read and write clocks.
7. **Functions**: Supports standard and first-word fall-through modes.
8. **Flag Options**: Programmable almost-full/almost-empty flags.
9. **Retransmit Function**: Allows re-reading of data.
10. **Power Consumption**: Low power consumption with standby mode.

This device is commonly used in buffering applications between asynchronous systems.

Application Scenarios & Design Considerations

8K/16K x 18 Deep Sync FIFOs# CY7C426515AC Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C426515AC is a high-performance 4-Mbit (512K × 8) static RAM (SRAM) component designed for applications requiring fast access times and low power consumption. Typical use cases include:

-  Embedded Systems : Primary memory for microcontroller-based systems requiring high-speed data access
-  Cache Memory : Secondary cache in processor systems where fast access is critical
-  Data Buffering : Temporary storage in communication systems and data acquisition units
-  Industrial Control Systems : Real-time data processing and temporary parameter storage

### Industry Applications
-  Telecommunications : Network routers, switches, and base station equipment
-  Automotive : Advanced driver assistance systems (ADAS), infotainment systems
-  Medical Devices : Patient monitoring equipment, diagnostic imaging systems
-  Industrial Automation : PLCs, motor control systems, robotics
-  Aerospace and Defense : Avionics systems, radar processing, military communications

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : Access times as low as 10ns support high-frequency applications
-  Low Power Consumption : Advanced CMOS technology enables power-efficient operation
-  Wide Temperature Range : Industrial-grade temperature support (-40°C to +85°C)
-  Non-Volatile Options : Available with battery backup capability for data retention
-  Easy Integration : Standard 8-bit parallel interface simplifies system design

 Limitations: 
-  Density Constraints : 4-Mbit density may be insufficient for large memory requirements
-  Cost Considerations : Higher cost per bit compared to DRAM alternatives
-  Power Management : Requires careful power sequencing and backup power design
-  Board Space : Larger package footprint compared to newer memory technologies

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Sequencing 
-  Pitfall : Improper power-up sequencing can cause latch-up or damage
-  Solution : Implement controlled power sequencing with proper reset circuitry

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : High-speed operation susceptible to signal degradation
-  Solution : Use proper termination techniques and impedance matching

 Data Retention 
-  Pitfall : Unintended data loss during power transitions
-  Solution : Implement proper backup power systems and write-protection circuits

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
- Ensure timing compatibility with host processor's memory interface specifications
- Verify voltage level compatibility (3.3V operation typical)
- Check bus loading capabilities and drive strength requirements

 Mixed-Signal Systems 
- Potential noise coupling from digital to analog sections
- Requires proper grounding and decoupling strategies
- Consider separate power domains for sensitive analog circuits

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and ground
- Implement multiple decoupling capacitors (0.1μF and 0.01μF) close to power pins
- Separate analog and digital ground planes with single-point connection

 Signal Routing 
- Maintain controlled impedance for address and data lines
- Route critical signals (clock, chip select) with minimal length variations
- Avoid crossing power plane splits with high-speed signals

 Thermal Management 
- Provide adequate copper area for heat dissipation
- Consider thermal vias for enhanced cooling in high-temperature environments
- Maintain proper component spacing for air flow

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Memory Organization 
- Density: 4,194,304 bits (4 Mbit)
- Organization: 512K × 8 bits
- Package: 32-pin SOJ, 32-pin TSOP I

 Electrical Characteristics 
- Operating Voltage: 3.3V ±0.3V
- Operating Current: 70

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