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CY7C404-25DMB from CY,Cypress

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CY7C404-25DMB

Manufacturer: CY

64 x 4 Cascadable FIFO / 64 x 5 Cascadable FIFO

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY7C404-25DMB,CY7C40425DMB CY 50 In Stock

Description and Introduction

64 x 4 Cascadable FIFO / 64 x 5 Cascadable FIFO The CY7C404-25DMB is a high-speed CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Size**: 4Kb (512 words × 8 bits)  
2. **Organization**: 512 × 8  
3. **Access Time**: 25 ns  
4. **Operating Voltage**: 5V ±10%  
5. **Technology**: High-speed CMOS  
6. **Operating Temperature Range**:  
   - Commercial: 0°C to +70°C  
   - Industrial: -40°C to +85°C  
7. **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
8. **Power Consumption**:  
   - Active: 300 mW (typical)  
   - Standby: 30 mW (typical)  
9. **I/O Compatibility**: TTL-compatible inputs and outputs  
10. **Cycle Time**: 25 ns (max)  
11. **Data Retention Voltage**: 2V (min)  

This device is designed for applications requiring high-speed, low-power SRAM.

Application Scenarios & Design Considerations

64 x 4 Cascadable FIFO / 64 x 5 Cascadable FIFO# CY7C40425DMB Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY7C40425DMB 4-Mbit (512K × 8) Static RAM is primarily employed in applications requiring high-speed, low-power memory operations with non-volatile data retention capabilities. Typical implementations include:

-  Embedded Systems : Serving as main memory in microcontroller-based systems requiring fast access times (10/12/15/20 ns variants available)
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces, network equipment, and data acquisition systems
-  Cache Memory : Secondary cache in industrial computing applications where speed is critical
-  Real-time Systems : Applications demanding deterministic access times and reliable performance

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Engine control units (ECUs) for temporary parameter storage
- Infotainment systems requiring fast data access
- Advanced driver assistance systems (ADAS) for sensor data buffering

 Industrial Automation 
- Programmable logic controllers (PLCs) for program storage and data logging
- Robotics control systems requiring rapid memory access
- Process control equipment with strict timing requirements

 Medical Devices 
- Patient monitoring systems for real-time data processing
- Diagnostic equipment requiring reliable memory performance
- Portable medical devices benefiting from low power consumption

 Communications Infrastructure 
- Network switches and routers for packet buffering
- Base station equipment in telecommunications
- Data transmission equipment requiring high-speed memory

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High-Speed Operation : Access times as low as 10 ns support demanding applications
-  Low Power Consumption : Active current of 110 mA (max), standby current of 35 mA (max)
-  Wide Temperature Range : Commercial (0°C to +70°C) and industrial (-40°C to +85°C) variants
-  Non-Volatile Option : Battery backup capability for data retention
-  Simple Interface : Direct microprocessor compatibility without refresh requirements

 Limitations: 
-  Density Constraints : 4-Mbit capacity may be insufficient for modern high-memory applications
-  Power Management : Requires careful consideration in battery-operated devices
-  Cost Considerations : More expensive per bit compared to DRAM alternatives
-  Physical Size : TSOP package may limit use in space-constrained designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling leading to signal integrity issues and false memory operations
-  Solution : Implement 0.1 μF ceramic capacitors at each VCC pin, with bulk capacitance (10-47 μF) near the device

 Signal Integrity 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing timing violations and data corruption
-  Solution : Maintain controlled impedance traces, match trace lengths for critical signals (address, data, control)

 Timing Margin 
-  Pitfall : Operating at maximum rated speed without sufficient timing margin
-  Solution : Include 15-20% timing margin in design calculations, consider derating for temperature variations

### Compatibility Issues with Other Components

 Microprocessor Interfaces 
-  Compatible : Most 8-bit and 16-bit microprocessors with standard SRAM interfaces
-  Potential Issues : Modern processors with burst modes may require additional glue logic
-  Solution : Use compatible speed grades and verify timing diagrams with target processor

 Mixed Voltage Systems 
-  3.3V Operation : Compatible with 3.3V systems, but may require level shifting for 5V interfaces
-  Power Sequencing : Ensure proper power-up/down sequences to prevent latch-up

 Bus Contention 
-  Multiple Devices : When multiple memory devices share buses, implement proper chip select decoding
-  Solution : Use qualified chip select signals and consider bus keeper circuits

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