144-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C2670KV18-550BZI is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the factual specifications:

1. **Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
3. **Speed**: 550 MHz  
4. **Voltage Supply**: 1.8V (±5%)  
5. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
6. **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
7. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
8. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
9. **Cycle Time**: 1.8 ns (max)  
10. **Access Time**: 1.8 ns (max)  
11. **Features**:  
   - Pipelined operation for high-speed performance  
   - Byte Write capability  
   - On-chip address and data pipeline registers  
   - Single clock cycle operation  
   - JTAG boundary scan support  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. No additional guidance or recommendations are provided.