144-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C2665KV18-550BZI is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Density**: 18 Mb (1M x 18)
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits
- **Speed**: 550 MHz (1.8 ns clock-to-data access)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)
- **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL compatible)
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 15mm × 17mm
- **Cycle Time**: 1.8 ns (550 MHz)
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)
- **Pipeline Stages**: Two-stage output pipeline
- **Features**: 
  - Byte Write capability (×18, ×9, or ×4.5 configurations)
  - On-chip address registers
  - Synchronous self-timed writes
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - Single-cycle deselect feature
  - ZZ (sleep mode) power-down option
- **Applications**: Networking, telecommunications, and high-performance computing systems.

This SRAM is designed for high-bandwidth applications requiring low latency and high-speed data access.