72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25702KV18-550BZXI is a high-performance SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: 72-Mbit (4M x 18) QDR II+ SRAM  
2. **Speed**: 550 MHz (maximum operating frequency)  
3. **Voltage Supply**: 1.8V (core) and 1.5V (I/O)  
4. **Interface**: Quad Data Rate (QDR) II+ with separate read/write ports  
5. **Latency**: Programmable read/write latency options  
6. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
8. **Architecture**: Synchronous, burst-oriented for high bandwidth  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed data access, such as networking, telecommunications, and data processing systems.  

(Note: Always verify details with the latest datasheet from the manufacturer.)