72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25702KV18-550BZXC is a QDR-II+ SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: QDR-II+ SRAM (Quad Data Rate II+ Synchronous SRAM)  
- **Density**: 72 Mbit (organized as 2M x 36 or 4M x 18)  
- **Speed**: 550 MHz (clock frequency)  
- **Latency**: 2 or 2.5 clock cycles (programmable)  
- **Voltage Supply**: 1.5V ±5% (VDD) and 1.5V/1.8V for HSTL I/O (VDDQ)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Features**:  
  - Separate read/write ports for simultaneous operations  
  - Burst lengths of 2 or 4  
  - Echo clock outputs for data capture  
  - JTAG boundary scan support  

For exact details, refer to the official datasheet from Infineon/Cypress.