72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25702KV18-500BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 36 Mb (1M x 36)  
- **Speed**: 500 MHz  
- **Access Time**: 1.8 ns  
- **Operating Voltage**: 1.8V  
- **I/O Voltage**: 1.8V  
- **Organization**: 1,048,576 words × 36 bits  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Features**:  
  - Byte Write capability  
  - On-chip address and data pipeline registers  
  - Single-cycle deselect  
  - Burst mode operation  
  - JTAG boundary scan  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.