72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25682KV18-550BZXI is a high-performance SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Memory Type**: Synchronous SRAM (QDR-II+)
2. **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
3. **Speed**: 550 MHz (clock frequency)
4. **Supply Voltage**: 1.8V (core), 1.5V (I/O)
5. **Interface**: QDR-II+ (Quad Data Rate)
6. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
7. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
8. **Data Rate**: 1100 Mbps (double data rate)
9. **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
10. **Features**: Separate read/write ports, pipelined operation, echo clock outputs

This device is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing.