72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25682KV18-550BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density**: 72-Mbit (organized as 2M x 36)  
- **Speed**: 550 MHz (1.8 ns clock-to-data access)  
- **Voltage**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL compatible)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Byte Write capability  
  - On-Die Termination (ODT)  
  - Echo Clock for data capture  
  - JTAG boundary scan support  

This device is designed for high-speed networking and telecommunications applications.