72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25682KV18-500BZC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
- **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
- **Speed**: 500 MHz (2.0 ns clock cycle)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD) and 1.5V ±5% (VDDQ for I/O)
- **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate II+)
- **Data Rate**: 1000 Mbps (double data rate on each clock edge)
- **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Features**: Separate read/write ports, pipelined operation, echo clock outputs, and on-chip termination (OCT) support.

This SRAM is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing.