72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25682KV18-400BZXC is a memory device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** Synchronous SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 72-Mbit (organized as 4M x 18)  
- **Speed:** 400 MHz (2.5 ns clock cycle time)  
- **Voltage Supply:** 1.8V (LVCMOS)  
- **Interface:** QDR™ (Quad Data Rate) SRAM  
- **Package:** 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features:** Separate read and write ports, burst mode support, and pipelined architecture.  

This device is designed for high-performance networking and telecommunications applications.