72-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25682KV18-400BZC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
- **Density**: 72 Mbit (organized as 2M x 36 or 4M x 18)
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD) ±5%
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ) ±5%
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Interface**: Separate input/output (QDR II+ architecture)
- **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
- **Pipelined Operation**: Supports read and write operations with programmable latency
- **Features**: On-Die Termination (ODT), Echo Clock outputs, and differential clock inputs (CK/CK#)