72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture The CY7C2565KV18-500BZC is a high-performance memory device manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 256K x 16 Synchronous SRAM (Static Random Access Memory)  
- **Density**: 4 Mbit (4,194,304 bits)  
- **Organization**: 262,144 words × 16 bits  
- **Speed**: 500 MHz (2 ns clock cycle)  
- **Voltage Supply**: 1.7V to 1.9V (nominal 1.8V)  
- **I/O Voltage**: 1.7V to 1.9V (LVCMOS compatible)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) Class I or II  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Byte Write capability  
  - JTAG Boundary Scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-Die Termination (ODT) for signal integrity  
  - ZQ calibration for output drive strength adjustment  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.