72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-550BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
- **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
- **Speed**: 550 MHz (clock frequency)
- **Voltage Supply**: 1.5V (core), 1.5V or 1.8V (I/O)
- **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate II+)
- **Data Rate**: 1100 Mbps (double data rate)
- **Latency**: Programmable (2 or 2.5 cycles)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: Separate read/write ports, burst modes, and echo clocks for timing alignment.

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact details, refer to the official documentation from Infineon Technologies.