72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-500BZXC is a high-performance 256-Mbit (32M x 8) synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Key specifications include:

- **Density:** 256 Mbit (32M x 8)  
- **Speed:** 500 MHz (2.0 ns clock-to-output)  
- **Voltage Supply:** 1.8V ±0.1V (VDD)  
- **I/O Voltage:** 1.5V (HSTL compatible)  
- **Organization:** 32M words x 8 bits  
- **Package:** 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Interface:** Synchronous pipelined with HSTL I/O  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features:**  
  - Supports burst and random read/write operations  
  - On-chip address and data pipelining  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - ZZ (sleep mode) power-down feature  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C25652KV18-500BZXC)