72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-450BZXC is a high-performance, low-power SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Type**: 256Kb (32K x 8) Static RAM (SRAM)  
2. **Speed**: 450 MHz (2.2 ns access time)  
3. **Voltage Supply**: 1.8V ±0.1V  
4. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
5. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
6. **Interface**: Synchronous (Pipelined)  
7. **Organization**: 32K words x 8 bits  
8. **I/O Type**: Single-ended  
9. **Cycle Time**: 2.2 ns  
10. **Power Consumption**: Low-power operation with standby and sleep modes  
11. **Additional Features**:  
   - Byte-wide data bus  
   - Supports burst mode operations  
   - JTAG boundary scan support  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.