72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-450BZI is a high-performance, low-power synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: Synchronous SRAM (QDR-II+)
- **Density**: 72 Mb (organized as 4M x 18)
- **Speed**: 450 MHz (2.2 ns clock cycle)
- **Supply Voltage**: 1.8V (VDD) ±5%
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ) ±5%
- **Interface**: QDR-II+ (Quad Data Rate)
- **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 13mm x 15mm
- **Features**: Separate read/write ports, pipelined architecture, on-chip address registers
- **Power Consumption**: Low-power design with standby and sleep modes
- **Data Integrity**: Optional ECC (Error Correcting Code) support

This device is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing systems.