72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-450BZC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 36 Mb (2M x 18)
2. **Type**: Synchronous Pipelined SRAM
3. **Speed**: 450 MHz (2.2 ns clock-to-data access)
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)
5. **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL or SSTL_18 compatible)
6. **Organization**: 2,097,152 words × 18 bits
7. **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
9. **Interface**: HSTL/SSTL_18 with separate input/output supplies
10. **Features**: 
    - Pipelined and flow-through operation
    - Byte Write capability
    - ZZ (Sleep Mode) for power saving
    - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
    - On-chip address and data pipeline registers

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.