72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-400BZXI is a high-performance, low-power synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Below are the key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)  
2. **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)  
3. **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)  
4. **Supply Voltage**: 1.8V (core), 1.5V (I/O)  
5. **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate)  
6. **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)  
7. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
8. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
9. **Data Bandwidth**: Up to 14.4 Gbps (18-bit I/O at 400 MHz)  
10. **Features**:  
   - Separate read/write ports for simultaneous operations  
   - Pipelined and flow-through operation modes  
   - On-chip termination (OCT) for signal integrity  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.