72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-400BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
2. **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
3. **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock cycle)
4. **Operating Voltage**: 1.8V (core) and 1.5V (I/O)
5. **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate II+)
6. **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
7. **Latency**: Programmable (1.5 or 2.5 cycles for read)
8. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
9. **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
10. **Features**: Separate read/write ports, pipelined operation, echo clock outputs.

This device is designed for high-bandwidth applications like networking, telecommunications, and data processing.