72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-400BZI is a high-performance, low-power CMOS SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Size**: 256Kb (32K x 8)  
2. **Technology**: CMOS  
3. **Speed**: 400 MHz (2.5 ns access time)  
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±0.1V  
5. **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
6. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 13mm x 15mm  
7. **Organization**: 32K words x 8 bits  
8. **I/O Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
9. **Pipeline Mode**: Supports pipelined and flow-through operation  
10. **Power Consumption**: Low active and standby power  
11. **Additional Features**:  
   - On-chip address and data registers  
   - Byte-wide write control  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.