72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25652KV18-400BZC is a high-speed synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Memory Size**: 256Kb (32K x 8-bit organization).  
2. **Speed**: 400 MHz clock frequency.  
3. **Access Time**: 2.5 ns (maximum).  
4. **Voltage Supply**: 1.8V ±10% (1.7V to 1.9V).  
5. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array).  
6. **Interface**: Synchronous with separate read and write ports (NoBL™ architecture).  
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C).  
8. **Features**: Pipelined and flow-through operation modes, burst mode support, and JTAG boundary scan.  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and low power consumption.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C25652KV18-400BZC.)