72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25632KV18-550BZC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous SRAM (QDR II+)
- **Density**: 256 Mbit (32M x 8)
- **Speed**: 550 MHz (1.8 ns clock cycle)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)
- **I/O Voltage**: 1.5V (HSTL compatible)
- **Organization**: 32M words × 8 bits
- **Interface**: QDR II+ (Quad Data Rate)
- **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Features**: Separate read/write ports, pipelined operation, echo clocks for data capture.

This device is designed for high-bandwidth applications such as networking, telecommunications, and data processing.