72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25632KV18-500BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 32Mb (4M x 8) Synchronous SRAM  
- **Speed**: 500 MHz (2.0 ns clock-to-data access)  
- **Voltage**: 1.8V ±0.1V (core and I/O)  
- **Organization**: 4,194,304 words × 8 bits  
- **Interface**: Synchronous (ZBT™ or NoBL™ operation)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Byte-wide write control  
  - 2-cycle read/write operations  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - HSTL I/O compatible  

This device is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Note: Always verify with the latest datasheet for updates.)