72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25632KV18-500BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Below are its key specifications:

1. **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Density**: 256K x 32 (8 Mbit)  
3. **Organization**: 256K words × 32 bits  
4. **Supply Voltage**: 1.8V ±5% (1.71V to 1.89V)  
5. **Speed**: 500 MHz (2 ns clock cycle)  
6. **Access Time**: 2.0 ns (pipelined)  
7. **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
8. **Operating Temperature Range**:  
   - Commercial (0°C to +70°C)  
   - Industrial (-40°C to +85°C)  
9. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
10. **Features**:  
    - Single-cycle deselect  
    - Byte write capability  
    - On-chip address and data pipelining  
    - Echo clock for simplified data capture  
    - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C25632KV18-500BZC)