72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25632KV18-450BZXI is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: Synchronous SRAM (QDR-II+)
- **Density**: 72-Mbit (organized as 4M x 18)
- **Speed**: 450 MHz (2.2 ns clock cycle)
- **Operating Voltage**: 1.7V to 1.9V (core), 1.7V to 1.9V (I/O)
- **Interface**: QDR-II+ (Quad Data Rate II+)
- **Data Rate**: 900 Mbps (double data rate)
- **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Features**: Separate read/write ports, pipelined operation, echo clock outputs (CQ/CQ#)

This SRAM is designed for high-bandwidth applications like networking, telecommunications, and data processing.