72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25632KV18-450BZC is a high-performance, low-power CMOS SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 256K x 32 (8 Mbit)  
2. **Organization**: 262,144 words × 32 bits  
3. **Supply Voltage**: 1.7V to 1.95V (nominal 1.8V)  
4. **Speed**: 450 MHz (2.2 ns access time)  
5. **Interface**: Synchronous (Pipelined)  
6. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
7. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
8. **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
9. **Cycle Time**: 2.2 ns  
10. **Power Consumption**: Low active and standby power  
11. **Features**:  
    - Byte Write capability  
    - Burst mode operation  
    - JTAG boundary scan support  
    - On-chip address and data pipelining  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.