72-Mbit QDR甀I+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25632KV18-400BZXI is a high-performance, low-power CMOS SRAM device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Capacity**: 256K words × 32 bits (8 Mbit).  
2. **Organization**: 262,144 × 32.  
3. **Supply Voltage**: 1.7V to 1.95V (nominal 1.8V).  
4. **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access).  
5. **Interface**: Synchronous (pipelined).  
6. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C).  
7. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array).  
8. **I/O Type**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) compatible.  
9. **Burst Modes**: Supports linear and interleaved burst sequences.  
10. **Power Consumption**: Low active and standby power (varies by mode).  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.  

(Source: Cypress/Infineon datasheet for CY7C25632KV18-400BZXI.)