72-Mbit QDR?II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C25442KV18-300BZI is a memory component manufactured by Cypress Semiconductor. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: Synchronous SRAM (Static Random-Access Memory)  
2. **Density**: 4Mb (256K x 18)  
3. **Speed**: 300 MHz  
4. **Voltage Supply**: 1.8V  
5. **Package**: BGA (Ball Grid Array)  
6. **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)  
7. **Interface**: Synchronous (ZBT or NoBL)  
8. **Organization**: 256K words x 18 bits  
9. **Access Time**: 3.3 ns (for 300 MHz operation)  
10. **I/O Type**: LVCMOS  
11. **Features**: Pipelined and flow-through operation, burst mode support  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the CY7C25442KV18-300BZI.