36-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C2270KV18-400BZXC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 18 Mb (1M x 18)
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits
- **Speed**: 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)
- **Voltage Supply**: 1.8V (±5%)
- **Interface**: Synchronous (pipelined)
- **I/O Type**: LVCMOS
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Features**: 
  - Byte Write capability (Upper/Lower bytes)
  - Single-cycle deselect
  - Echo clocks for data capture
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - On-chip address and data pipeline registers
  - ZZ (sleep mode) power-saving feature

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.