18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C2170KV18-400BZXC is a 4-Mbit (256K x 18) synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Density:** 4 Mbit (256K x 18)  
- **Organization:** 262,144 words × 18 bits  
- **Speed:** 400 MHz (2.5 ns clock-to-data access)  
- **Supply Voltage:** 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage:** 1.5V or 1.8V (HSTL compatible)  
- **Package:** 165-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface:** Synchronous with pipelined operation  
- **Features:**  
  - HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O  
  - Single-cycle deselect  
  - Echo clock for data capture  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-performance networking and computing applications requiring fast data access.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet)