18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C2168KV18-550BZC is a high-speed synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Memory Size**: 4 Mbit (256K x 18)
- **Organization**: 262,144 words × 18 bits
- **Speed**: 550 MHz (1.8 ns access time)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±0.1V (core and I/O)
- **Interface**: Synchronous, pipelined
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)
- **Cycle Time**: 1.8 ns (550 MHz)
- **Data Retention**: Supported in standby mode
- **Features**: 
  - Single clock operation
  - Byte write control
  - Echo clock output (CQ)
  - JTAG boundary scan support
  - On-chip address and data pipeline registers

This SRAM is designed for high-performance networking, telecommunications, and computing applications.