18-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C2165KV18-550BZC is a high-performance synchronous pipelined SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Type**: Synchronous Pipelined SRAM  
- **Density**: 18-Mbit (1M x 18)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Speed**: 550 MHz (1.8 ns clock-to-data access)  
- **Supply Voltage**: 1.8V (VDD) ±5%  
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ) ±5%  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Cycle Time**: 1.8 ns (550 MHz)  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high bandwidth  
  - Single-cycle deselect for reduced power  
  - ZZ (sleep mode) for power savings  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet)