18-Mbit QDR?II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT The CY7C2165KV18-450BZC is a high-performance synchronous pipelined burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 18 Mb (1M × 18)
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits
- **Speed**: 450 MHz (2.2 ns clock-to-output)
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD) and 1.5V ±5% (VDDQ for HSTL I/O)
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) Class I or II
- **Access Time**: Pipelined with 2-cycle latency
- **Burst Modes**: Linear or interleaved burst sequences (2, 4, or 8 words)
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)
- **Package**: 165-ball FBGA (13 × 15 mm, 1 mm ball pitch)
- **Features**: 
  - Byte write control (BW# pins)
  - ZZ# pin for power-down mode
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)
  - Single-cycle deselect for reduced power
  - Clock stop capability

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.