**Key Specifications:**  
- **Organization:** 32K x 8 (262,144 bits)  
- **Access Time:** 15 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Current (Active):** 70 mA (max)  
- **Standby Current (TTL):** 20 mA (max)  
- **Standby Current (CMOS):** 5 µA (max)  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Tri-State Outputs:** Yes  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  
- **Pin Configuration:** Industry-standard JEDEC  

This SRAM is designed for high-speed, low-power applications requiring reliable non-volatile memory storage.