Memory : Async SRAMs The CY7C197-45VC is a 3.3V, 256K x 8 (2-Mbit) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Key specifications include:

- **Organization**: 256K x 8  
- **Density**: 2 Mbit  
- **Voltage Supply**: 3.3V (±10%)  
- **Access Time**: 45 ns  
- **Operating Current**: 80 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 mA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Pin Count**: 32  
- **Interface**: Parallel  
- **Features**:  
  - Low-power CMOS technology  
  - Automatic power-down when deselected  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Three-state outputs  

This SRAM is commonly used in applications requiring moderate-speed, low-power memory, such as embedded systems and networking equipment.

Memory : Async SRAMs The CY7C197-45VC is a high-speed CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 256K x 8 (2 Mbit)  
- **Speed**: 45 ns access time  
- **Voltage Supply**: 5V ±10%  
- **Operating Current**: 80 mA (typical)  
- **Standby Current**: 5 mA (typical)  
- **Package**: 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Technology**: High-performance CMOS  
- **Features**:  
  - Fully static operation (no clock or refresh required)  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Three-state outputs  
  - Byte-wide architecture  

This SRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory with a simple interface.

Memory : Async SRAMs The CY7C197-45VC is a 3.3V 256K x 36 Synchronous Burst SRAM manufactured by Cypress Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Density**: 256K x 36 (9 Mbit)  
- **Voltage Supply**: 3.3V ±10%  
- **Speed**: 45 ns access time  
- **Organization**: 36-bit data bus  
- **Package**: 100-pin TQFP (Thin Quad Flat Pack)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Synchronous with burst mode support  
- **I/O Type**: Single-ended  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Supports linear and interleaved burst sequences  
  - Byte write control  
  - Clock-controlled read/write operations  
  - JTAG boundary scan support  

This SRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and synchronous operation.