144-Mbit QDR?II SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1625KV18-300BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous SRAM (QDR II+).  
2. **Speed**: 300 MHz clock frequency.  
3. **Architecture**: Quad Data Rate (QDR) II+, with separate read/write ports for simultaneous operations.  
4. **Voltage**: 1.5V core voltage (VDD) and 1.5V/1.8V I/O voltage (VDDQ).  
5. **Latency**: Programmable burst lengths (2 or 4) with fixed read/write latencies.  
6. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic) I/O.  
7. **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array), 15mm x 17mm.  
8. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C).  
9. **Features**: Pipelined operation, echo clocks for data capture, and on-die termination (ODT).  

This SRAM is designed for high-bandwidth applications like networking, telecommunications, and data processing.