144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1623KV18-333BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Speed**: 333 MHz (3.0 ns clock-to-data access)  
3. **Voltage**: 1.8V core, 1.5V/1.8V I/O (HSTL compatible)  
4. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
5. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
6. **Architecture**: Pipelined with burst mode support  
7. **Burst Lengths**: 2, 4, 8, or full-page (interleaved or linear)  
8. **Cycle Time**: 3.0 ns (333 MHz)  
9. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
10. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  

Additional features include:  
- On-chip address and data pipeline registers  
- Single-cycle deselect for reduced power  
- JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
- ZZ (sleep mode) for power savings  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and computing applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet DS-001-06916, Rev. *H)