144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture The CY7C1623KV18-250BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

1. **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous Pipelined SRAM  
2. **Speed**: 250 MHz (4 ns clock-to-data access)  
3. **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
4. **I/O Voltage**: 1.8V (HSTL-compatible)  
5. **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
6. **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
7. **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
8. **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
9. **Features**:  
   - Pipelined and flow-through operation  
   - Byte Write capability  
   - On-chip address and control registers  
   - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
   - Single-cycle deselect  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecommunications, and other performance-critical applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1623KV18-250BZXC)