144-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1615KV18-333BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous Pipelined SRAM  
- **Speed**: 333 MHz (3.0 ns clock-to-data access)  
- **Voltage Supply**: 1.8V ±5% (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.8V (VDDQ)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: HSTL (High-Speed Transceiver Logic)  
- **Package**: 165-ball FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined operation for high-speed applications  
  - Byte Write capability (Upper/Lower bytes)  
  - Single-cycle deselect for reduced power consumption  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  
  - On-chip address and data pipeline registers  

This SRAM is designed for networking, telecommunications, and high-performance computing applications.  

(Source: Cypress Semiconductor datasheet for CY7C1615KV18-333BZXC)