144-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1613KV18-333BZXC is a QDR-II+ SRAM (Quad Data Rate II+ Static Random Access Memory) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: QDR-II+ SRAM  
- **Density**: 18 Mbit (1M x 18)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Speed**: 333 MHz (3.0 ns clock cycle)  
- **Voltage Supply**: 1.8V (VDD)  
- **I/O Voltage**: 1.5V (VDDQ)  
- **Interface**: Separate read and write ports (dual-port)  
- **Data Rate**: 666 Mbps (333 MHz × 2 for DDR)  
- **Burst Length**: 2 or 4 (programmable)  
- **Package**: 165-ball BGA (Ball Grid Array)  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Features**:  
  - Pipelined and flow-through operation  
  - Echo clock outputs (CQ, CQ#)  
  - Supports simultaneous read and write operations  
  - JTAG boundary scan (IEEE 1149.1 compliant)  

This device is commonly used in high-performance networking, telecommunications, and computing applications requiring fast data access.