144-Mbit QDR?II SRAM Four-Word Burst Architecture The CY7C1613KV18-300BZXC is a high-performance synchronous SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies). Here are the key specifications:

- **Type**: 18-Mbit (1M x 18) Synchronous SRAM  
- **Speed**: 300 MHz (3.3 ns clock-to-data access)  
- **Voltage**: 1.8V core, 1.5V/1.8V I/O (LVCMOS)  
- **Organization**: 1,048,576 words × 18 bits  
- **Interface**: Pipelined with ZQ (impedance-controlled outputs)  
- **Package**: 165-ball FBGA (13mm × 15mm)  
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Features**:  
  - Double Data Rate (DLL for 300 MHz operation)  
  - On-Die Termination (ODT)  
  - Burst modes: Sequential or Interleaved  
  - Byte Write capability  

This SRAM is designed for high-speed networking, telecom, and computing applications.